Головная страница ИПМ Библиотеки, издания  •  Поиск публикаций  English 
Публикация

Препринт ИПМ № 99, Москва, 2018 г.
Авторы: Волков Ю.А., Иноземцева К.К., Марков М.Б., Тараканов И.А.
Математическая модель радиационного нагрева изделий микроэлектроники
Аннотация:
Рассмотрен радиационный нагрев полупроводникового кристалла. Построена модель передачи энергии кристаллу избыточными носителями заряда, образующимися при рассеянии ионизирующего излучения. Вычислено распределение энергии, теряемой падающим излучением в кристалле, между электронами проводимости и фононами кристаллической решетки.
Ключевые слова:
ионизирующее излучение, носитель заряда, фонон
Язык публикации: русский, страниц: 12
Направление исследований:
Математическое моделирование в актуальных проблемах науки и техники
Полный текст: Сведения об авторах:
  • Волков Юрий Александрович,  ,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН
  • Иноземцева Ксения Константиновна,  ,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН
  • Марков Михаил Борисович,  ,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН
  • Тараканов Илья Алексеевич,  ,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН