Головная страница ИПМ Библиотеки, издания  •  Поиск публикаций  English 
Публикация

Препринт ИПМ № 63, Москва, 2018 г.
Авторы: Иванов А. В., Зипунова Е.В., Книжник А.А., Попков А.Ф.
Модель анизотропии на скомпенсированном интерфейсе кубический ферромагнетик-антиферромагнетик со структурой Cu3Au (L12)
Аннотация:
Магниторезистивная память (MRAM) потенциально способна заменить большую часть различных типов современной полупроводниковой памяти. Ключевым элементом ячейки MRAM является антиферромагнитный слой с ГЦК решеткой, фиксирующий намагниченность примыкающего к нему ферромагнитного слоя. В данной работе изучен механизм возникновения обменной анизотропии на скомпенсированном интерфейсе антиферромагнетика и ферромагнетика, построена многослойная микромагнитная модель антиферромагнетика. Показано, что направление оси анизотропии определяется одним из восьми состояний антиферромагнетика, при этом традиционная однослойная макроспиновая модель антиферромагнетика дает некорректные результаты. Предложена эффективная двухслойная модель антиферромагнетика с «тяжелым» внутренним слоем.
Ключевые слова:
магниторезистивная память, численное моделирование магнетиков
Язык публикации: русский, страниц: 31
Направление исследований:
Математическое моделирование в актуальных проблемах науки и техники
Полный текст: Сведения об авторах:
  • Иванов Антон Валерьевич,  orcid.org/0000-0001-5132-3748,  ИПМ им. М.В. Келдыша РАН
  • Зипунова Елизавета Вячеславовна,  orcid.org/0000-0001-7109-1702,  МФТИ (ГУ)
  • Книжник Андрей Александрович,  ,  ООО 'Кинтех Лаб'
  • Попков Анатолий Федорович,  ,  ООО 'Кинтех Лаб'